SK海力士

据ETNews，消息称SK海力士的第6代12层堆叠高带宽内存HBM4测试良率已达70%。（财联社）

SK海力士2月25日发布消息称，韩国京畿道龙仁半导体集群内的SK海力士一期晶圆厂于昨日正式破土动工。SK海力士去年7月通过董事会决议，决定投资约9.4万亿韩元（约合66亿美元）建设龙仁半导体集群一期晶圆厂及相关办公设施。SK海力士计划在龙仁集群内分阶段建设四座晶圆厂，一期工厂预计2027年5月竣工。该工厂建成后将成为高带宽存储器（HBM）等新一代DRAM存储芯片生产基地。（界面）

据TechPowerup消息，如今全球NAND闪存持续供过于求，相应市场面临严峻挑战，除了企业级SSD有动能支撑外，其他终端产品销量均普遍不如预期，供货商库存持续上升，订单需求下降。三星、SK 海力士、铠侠、美光均已开始研究NAND闪存减产计划，从而缓解供需失衡并稳定价格，预计相关厂商计划会按照市场实际情况分阶段进行。（财联社）

1月23日，SK海力士发布截至2024年12月31日的2024财年及第四季度财务报告。公司2024财年营业收入为66.1930万亿韩元，营业利润为23.4673万亿韩元（营业利润率为35%），净利润为19.7969万亿韩元（净利润率为30%），创下了有史以来最佳年度业绩。2024年第四季度的营收为19.7670万亿韩元，环比增加12%，营业利润为8.0828万亿韩元，环比增加15%，净利润为8.0065万亿韩元。2024财年第四季度营业利润率为41%，净利润率为41%。（界面）

英伟达创始人黄仁勋把HBM（高带宽存储器）称为“技术奇迹”，认为它是AI革命的重要因素。在这一领域SK海力士处于优势，占有全球过半份额。这种状况让三星无法接受……

韩国巨头打架。

“垄断”AI芯片的英伟达

半导体行业观察：为了增加NAND Flash的密度和降低成本，包括三星、SK海力士、美光、铠侠和中国的长江存储都往纵向发展闪存，这就是所谓的3D NAND Flash的缘由。