SK海力士

摩根士丹利分析师Shawn Kim 和 Duan Liu称，随着AI推动内存、存储产业消耗越来越多晶圆产能，SK海力士的库存水平正在快速耗尽。分析师在报告中指出，AI服务器普及显著刺激了DRAM和NAND存储芯片需求上涨，致使行业库存迅速消耗，支撑价格持续上涨。SK海力士目前的DRAM库存水平已降至两周，实际上处于边生产边发货状态，同时NAND存储产品的库存也降至4-5周。（财联社）

SK海力士公司周三表示，由于高带宽存储器（HBM）领域的强劲表现，第三季度营业利润首次突破了10万亿韩元（合69.7亿美元）。该公司在一份监管文件中表示，第三季度营业利润为11.38万亿韩元，远高于去年同期的7.02万亿韩元。净利润为12.59万亿韩元，比去年同期增长了一倍以上。营收增长了39.1%，达到24.44万亿韩元。（新浪财经）

据知情人士称，SK海力士公司位于韩国中部的建设中的新工厂已开始安装生产设备，预计将于明年投入运营。消息人士称，该公司已经开始在位于首尔以南111公里的清州的M15X工厂的无尘室安装生产设备。该工厂将成为SK海力士生产高带宽存储器（HBM）产品的主要中心。（新浪财经）

据韩国经济日报，人工智能驱动的存储“超级周期”或将比以往的繁荣时期持续时间更长、强度更大。三星电子、SK海力士等主要内存供应商将在今年第四季度向客户调整报价，DRAM和NAND闪存价格上调幅度将高达30%，以满足AI驱动的存储芯片需求激增，并提升第6代HBM的盈利能力。（财联社）

英伟达创始人黄仁勋把HBM（高带宽存储器）称为“技术奇迹”，认为它是AI革命的重要因素。在这一领域SK海力士处于优势，占有全球过半份额。这种状况让三星无法接受……

韩国巨头打架。

“垄断”AI芯片的英伟达

半导体行业观察：为了增加NAND Flash的密度和降低成本，包括三星、SK海力士、美光、铠侠和中国的长江存储都往纵向发展闪存，这就是所谓的3D NAND Flash的缘由。