SK海力士

SK海力士HBM4的量产已推迟至明年3月或4月，HBM4产能大幅扩张的时间也进行了灵活调整。公司现在决定至少在明年上半年之前，保持HBM3E在所有HBM产品中最高的产量占比。据了解，SK海力士在与英伟达讨论明年HBM的产量时，大幅增加了HBM3E的产量。（财联社）

SK海力士在继续发展先进存储制程的同时也将进入利基型DRAM制造领域，丰富业务范围。SK海力士正与一家韩国Fabless无晶圆厂半导体设计企业合作，计划最早在2027年开始生产定制的专用DRAM内存，双方正就具体项目和产能进行交涉。（财联社）

据印度经济时报援引知情匿名人士消息报道，韩国SK 海力士正处于初步洽谈阶段，拟在印度寻找合作伙伴，共同在当地建立存储芯片封装测试工厂。（新浪财经）

据报道，据业内人士透露，SK海力士正在研发高带宽存储（HBS）技术，该技术最多可堆叠16个DRAM和NAND闪存模块，并通过垂直导线扇出（VFO）连接，从而提高数据处理速度，有望让未来的智能手机和平板电脑具备更强大的AI算力。（财联社）

英伟达创始人黄仁勋把HBM（高带宽存储器）称为“技术奇迹”，认为它是AI革命的重要因素。在这一领域SK海力士处于优势，占有全球过半份额。这种状况让三星无法接受……

韩国巨头打架。

“垄断”AI芯片的英伟达

半导体行业观察：为了增加NAND Flash的密度和降低成本，包括三星、SK海力士、美光、铠侠和中国的长江存储都往纵向发展闪存，这就是所谓的3D NAND Flash的缘由。