SK海力士

11月21日，SK海力士宣布，开始量产全球最高的321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存。SK海力士表示，计划从明年上半年起向客户提供321层产品。（界面）

半导体行业消息人士称，SK海力士和三星电子近期正在为特斯拉研发HBM4芯片样品，特斯拉将在测试样品后选择其中一家供应商。相较微软、谷歌、Meta等主要采购的定制化芯片，特斯拉将采购通用HBM4，用于强化其超级计算机Dojo性能。（界面）

据ChosunBiz消息，SK海力士技术长Seon-yong Cha表示，正考虑引进ASML造价4亿美元的High NA EUV光刻设备，生产下一代存储芯片。（财联社）

SK海力士展出了全球首款48GB 16层HBM3E产品。SK海力士CEO郭鲁正（Kwak Noh-Jung）表示，16层HBM市场预计将从HBM4开始兴起，但SK海力士已提前开发48GB 16层HBM3E，并计划2025年初向客户提供样品。（界面）

英伟达创始人黄仁勋把HBM（高带宽存储器）称为“技术奇迹”，认为它是AI革命的重要因素。在这一领域SK海力士处于优势，占有全球过半份额。这种状况让三星无法接受……

韩国巨头打架。

“垄断”AI芯片的英伟达

半导体行业观察：为了增加NAND Flash的密度和降低成本，包括三星、SK海力士、美光、铠侠和中国的长江存储都往纵向发展闪存，这就是所谓的3D NAND Flash的缘由。