SK海力士

据ZDnet，SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新，其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距，目前该技术正在验证阶段。若其成功商业化，将有效缩小HBM4及未来产品在DRAM性能上的差距。（财联社）

2月26日，SK海力士宣布，于当地时间25日在美国加利福尼亚州米尔皮塔斯的闪迪公司总部，与闪迪公司联合举办“HBF规格标准化联盟启动会”，正式发布面向AI推理时代的下一代存储器解决方案HBF（High Bandwidth Flash）的全球标准化战略。（界面）

根据2月25日的一份声明，SK海力士将投资21.6万亿韩元（150亿美元）用于在龙仁半导体产业集群为第一间工厂建设新设施，并为第二至第六期工程建造5间洁净室。投资期为2026年3月至2030年12月。（界面）

SK海力士正在开发名为“AIP（All-In-Plug）”的创新技术，以缓解因堆叠层数增加而带来的成本增长。据了解，传统制造方法需要分别对多个NAND层进行蚀刻，通过键合工艺连接起来，而AIP旨在通过一次性蚀刻全部NAND层来显著降低制造成本。（财联社）

SK海力士2025年营收720亿美元，利润超三星，AI内存驱动增长。

对HBM4的争夺亦进一步加大。

英伟达创始人黄仁勋把HBM（高带宽存储器）称为“技术奇迹”，认为它是AI革命的重要因素。在这一领域SK海力士处于优势，占有全球过半份额。这种状况让三星无法接受……

韩国巨头打架。