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项目简介
能讯半导体采用了整合设计与制造(IDM)的商业模式,率先在中国开展了第三代半导体氮化镓高能效功率半导体材料与器件的研发与产业化,其产品应用涵括了射频电子和电力电子两大领域。
融资历史
工商信息
工商全称 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 英文全称 | Suzhou Ningxun Gaoneng Semiconductor Co., Ltd. |
法定代表人 | 张乃千 | 成立时间 | 2011-09-22 |
注册地址 | 玉山镇晨丰路18号 |
股东(发起人)
持股比例
认缴出资额
认缴出资日期
深圳国相讯能投资合伙企业(有限合伙)
25.49%
10268.174万人民币
-
苏州和卓投资有限公司
21.35%
8600.0495万人民币
2013-06-10
苏州和颂投资管理企业(有限合伙)
15.56%
6268.1705万人民币
-
团队成员
张乃千
创始人
张乃千,能讯半导体创始人、董事长。1995年毕业于清华大学电子工程学士学位,微波专业,2007年毕业于加州大学电子与计算机工程博士学位,半导体专业,是世界上最早研究氮化镓(GaN)电子器件的人员之一,是美国电子工程师协会(IEEE)会员,及其核心杂志IEEE EDL的审稿人。毕业后进入当时全球最大的射频半导体生产厂家RFMD公司,两年后任产品开发主管,主持砷化镓(GaAs)功放芯片产品开发工作,并参与氮化镓微波功率器件开发。2006年底任Fultec公司先进半导体技术经理,负责开发高电压氮化镓开关功率器件。他研制出的2千伏开关又一次刷新了该领域GaN器件的记录,开创了氮化镓应用于电力电子的新局面。2007年张乃千回国创办了西安能讯微电子有限公司。
行业资讯
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“盖泽的半导体量测设备和传感产品在下游应用中获得了很好的反馈,今年两个业务都会大规模出货。”
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