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项目简介
成都氮矽科技有限公司是一家专注第三代半导体氮化镓方向研发的高新技术企业。旨在实现中国第三代半导体氮化镓(GaN)在电力电子领域的高速发展。将通过国内独立研发与制作的GaN Power IC实现氮化镓在电力电子领域的革命。
融资历史
工商信息
工商全称 | 成都氮矽科技有限公司 | 英文全称 | - |
法定代表人 | 罗鹏 | 成立时间 | 2019-04-26 |
注册地址 | 中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府五街168号5楼501室 |
股东(发起人)
持股比例
认缴出资额
认缴出资日期
诸暨市氮矽科技有限公司
100.00%
407.8874万人民币
2021-03-31
团队成员
罗鹏
创始人
罗鹏,氮矽科技创始人。罗鹏为德国勃兰登堡州科技大学硕士,博士与博士后就职于德国柏林费迪南德布朗-莱布尼茨研究所,精通氮化镓器件物理特性,有超过5年第三代半导体氮化镓IC的研发工作经验。
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