氮化镓 (GaN) 相比于硅材料具备决定性的优势。尤其是相较于硅 MOSFET，氮化镓材料具备更高的临界电场、独有且出色的动态导通电阻、更低的电容，使其尤为适用于功率半导体器件，让 GaN HEMT 成为高速开关的理想之选。GaN功率器在5G高频、消费电子充电器、新能源充电桩、数据中心等领域有着较大的应用潜力。如对某一项目感兴趣可直接点击「我要联系」按钮来申请对接。